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島津XPS采用的DLD二維探測(cè)器,看得見(jiàn)的XPS “快速”平行成像

日期:2025-06-09 20:39
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摘要:島津XPS采用的DLD二維探測(cè)器,看得見(jiàn)的XPS “快速”平行成像多聚網(wǎng)狀聚丙烯可以作為醫(yī)用材料,用于疝氣外科手術(shù)和其它軟組織缺損的修復(fù)。但由于親疏水性能的差異,人體中植入這些材料可能會(huì)引起感染。為了降低感染率,可以對(duì)其進(jìn)行表面改性,例如采用聚乙二醇(PEG)對(duì)聚丙烯(PP)進(jìn)行表面等離子體改性,
島津XPS采用的DLD二維探測(cè)器,看得見(jiàn)的XPS “快速”平行成像
 
 提到X射線光電子能譜(XPS)技術(shù),大家并不陌生,其可根據(jù)得到的元素結(jié)合能位置對(duì)樣品表面元素及其價(jià)態(tài)進(jìn)行分析;當(dāng)樣品表面成分不均勻時(shí),大家通常會(huì)想到需要借助掃描電鏡、電子探針等技術(shù)觀察元素的分布情況,而大多人對(duì)于采用XPS技術(shù)進(jìn)行元素成像了解甚少,那么XPS成像到底具有哪些特點(diǎn),以及能在哪些方面進(jìn)行應(yīng)用呢?帶著這些問(wèn)題,小編先帶大家來(lái)看兩個(gè)例子。
 
 醫(yī)用紡織品改性分析(C-C、C-O化學(xué)態(tài)成像)
 多聚網(wǎng)狀聚丙烯可以作為醫(yī)用材料,用于疝氣外科手術(shù)和其它軟組織缺損的修復(fù)。但由于親疏水性能的差異,人體中植入這些材料可能會(huì)引起感染。為了降低感染率,可以對(duì)其進(jìn)行表面改性,例如采用聚乙二醇(PEG)對(duì)聚丙烯(PP)進(jìn)行表面等離子體改性,由于PEG結(jié)構(gòu)中存在C-O鍵,而PP中則主要為C-C鍵和C-H鍵,因此可以分別對(duì)C-C與C-O兩種化學(xué)態(tài)成像來(lái)輔助判斷表面改性的均勻性,成像結(jié)果見(jiàn)下圖1:其中綠色代表PEG涂覆改性較好的區(qū)域;紅色代表較差的區(qū)域,混合區(qū)域代表PEG與PP共存。
 
  PP網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)上PEG涂覆材料測(cè)試結(jié)果:綠色代表涂覆較好的區(qū)域;紅色代表涂覆較差的區(qū)域
 硅片表面氧化硅顆粒分布(單質(zhì)Si、SiO2化學(xué)態(tài)成像)
 如下圖2為單質(zhì)硅基底表面沉積氧化硅顆粒,通過(guò)XPS成像可以表征SiO2及單質(zhì)Si的分布情況,且可以由成像結(jié)果得到在不同區(qū)域的某化學(xué)態(tài)的相對(duì)含量,如下選擇了四個(gè)不同的區(qū)域,分別計(jì)算得到了單質(zhì)Si與SiO2的相對(duì)含量,該應(yīng)用可拓展至硅片表面生長(zhǎng)氧化硅膜、硅片表面氧化硅物種去除等研究。
 
 單質(zhì)Si基質(zhì)上沉積SiO2顆粒的成像結(jié)果:綠色和紅色分別為單質(zhì)態(tài)Si和SiO2的Si2p成像結(jié)果
 

 通過(guò)以上兩個(gè)例子,相信大家對(duì)于XPS成像技術(shù)的應(yīng)用有了初步的了解。隨著XPS技術(shù)的發(fā)展以及對(duì)分析技術(shù)的要求,成像及小束斑(微區(qū))XPS分析備受關(guān)注,尤其是針對(duì)微電子器件和表面改性材料。掃描電鏡、電子探針等技術(shù)可以觀察元素分布情況,但對(duì)于超輕元素(如Li)以及元素化學(xué)態(tài)的分布檢測(cè)卻束手無(wú)策,采用成像XPS技術(shù)可表征由Li~U元素的分布,且可以分別采集元素不同化學(xué)狀態(tài)的成像結(jié)果。島津XPS儀器配備DLD二維延遲線檢測(cè)器,具有常規(guī)掃描采譜、快照采譜(較適用于深度剖析過(guò)程中成分變化監(jiān)測(cè))以及平行成像三個(gè)模式,可謂身兼數(shù)職!
 
 島津XPS采用的DLD二維探測(cè)器,可以同時(shí)采集元素的位置和強(qiáng)度信息,無(wú)須掃描樣品臺(tái),因此在數(shù)分甚至數(shù)秒內(nèi)便可以得到元素的化學(xué)態(tài)分布信息,成像分辨率可達(dá)1μm。如下視頻所示,僅在不到2min的時(shí)間內(nèi)便得到了400*400μm區(qū)域內(nèi)Au元素的分布情況;針對(duì)得到的元素成像結(jié)果可以進(jìn)行選區(qū)分析,兩個(gè)不同位置測(cè)得元素存在很大差異,區(qū)域1表面主要由C、O、Au、F元素組成,區(qū)域2表面則主要由C、O、Si元素組成,在數(shù)分鐘之內(nèi)便可得到幾十微米范圍內(nèi)的元素譜圖,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的微區(qū)分析。
 
 傳統(tǒng)的掃描電鏡、電子探針等技術(shù)較難進(jìn)行超輕元素(如Li)以及元素化學(xué)態(tài)的分布檢測(cè),傳統(tǒng)的XPS技術(shù)僅能給出某一區(qū)域的元素化學(xué)態(tài),缺少化學(xué)態(tài)空間分布的信息,XPS成像技術(shù)應(yīng)研究需求而生,可以很好的解決以上難題。島津XPS儀器配備DLD二維延遲線檢測(cè)器,在兼?zhèn)涓咝Р勺V功能的同時(shí)還可以完成快速平行成像,對(duì)半導(dǎo)體器件微區(qū)分析、表面改性/處理等材料的表征提供了有力手段。
 
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